保压测试

保压测试的目的在于保证管道系统或设备连接在设定测试压力的条件下没有泄漏点。

保压除了可以检查管路、接头是否有泄漏之情形外，还可以利用高于工作压力之气体压力保持在一段封闭管路内，经过一段时间后，可侦测出管路焊道上是否有沙孔（沙孔会因过高的压力而造成泄露）以及衔接点是否可以承受如此高的压力而不至于泄漏，以确保所有人员的安全。

其原理是将待测管路通入PN2，使其压力达到管路正常使用压力的1.15倍或者7至9公斤之间，在一端接上记录器，经过一段时间后检查是否有压降现象，若无则表示该管路已通过保压测试，反之，则检查压降之原因，并在原因排除后再做一次保压测试，直到完全没有泄漏为止。

氦侧漏测试

氦测漏的主要方法有：喷吹法、吸入法、氦罩法和背压法。He检漏仪具有操作简便、准确可靠、安全高效、成本较低、用途广泛等特点，而氦气的分子非常小，仅次于氢气，可侦测出非常小的漏点。

工艺上对于纯度要求高的气体一般都需做氦检，甚至要求气体管路的漏率在每秒10*e-10CC才可以送气。通常气体的漏率我们要求在1.0*e-9 cc.atm/sec以上

颗粒含量测试

在半导体的生产中，particle是造成良率不高的原因之一，尤其在现在的制程越来越小的情况下，若管路中含有过多的particle，会造成晶片的良率大大下降 。 为此，在设备生产前必须对管路进行particle测试。

particle测试的原理是将被测气体连接到测试仪器，如气流中有颗粒(该颗粒在测试仪器可以监控的范围内)，测试仪器会通过内部产生的激光照射该测试气体，再通过内部的计数装置进行分类计数，从而得出该取样气体的颗粒测试值。 测试仪器的测试规格值有8个：0.1, 0.2, 0.3, 0.5, 1.0, 2.0, 3.0, 5.0;单位为um。

水含量测试

H2O和晶片中Si会产生化学反应，生成二氧化硅，影响晶片厚度，因此对气体中的水分含量必须加以控制。

水分的测试是利用纯度较高的PN2对待测管路进行长时间的Purge，将水气带离管路，并在一端上分析仪器，直至仪器显示的含水量浓度达到测算标准。

氧含量测试

O2和H2O一样，也会和Si产生化学反应生成SiO2，从而影响晶片厚度，因此管路中的氧分也必须进行检测。其原理和步骤与水分检测相同，测算标准为0.05pm以下。